美国时间2024年12月2日，美国商务部工业与安全局（以下简称“BIS”）发布了一份临时最终规则（以下简称“1202规则”），在拜登政府任期的最后阶段再度加码对华先进计算及半导体制造相关物项出口管制限制。这份传闻已久的新规则也是BIS分别于2022年10月7日和2023年10月17日发布的对华半导体出口管制升级规则（以下分别简称“1007规则”和“1017规则”）的延续，延续了BIS每年底出台一份重要新规的“惯例”。对于过往规则的解读，请参考我们此前发布的文章《方达观点：全面解读美国升级对华半导体出口管制规则》。同日，BIS还发布实体清单列名和经验证的最终用户（VEU）的移除公告，一次性将近140家中国半导体相关企业列入实体清单，并对部分从事先进集成电路制造的企业施加了全新限制。
相较于1007规则的“广泛打击”和1017规则的“全面升级”，1202规则更具有针对性，直指中国在先进节点半导体制造以及先进计算芯片制造能力的关键环节，同时也显示出BIS对于拉拢盟友国家共同实现其管制目的，同时最大程度降低对美国企业商业利益方面越来越得心应手。从2022年至今的这三次重大规则调整把拜登政府所主张的“小院高墙”政策发挥到极致。
本文我们将为各位详细解读本次规则的具体内容并展望未来趋势。需要提示的是，业界亦有传闻，1202规则可能不是拜登政府的“毕业论文”，在今年内美国政府仍有可能再推出一次半导体限制规则，对本次规则未能涵盖的一些热点问题，以及此前规则公众评论尚未回应的部分做出规定。我们也将持续为您关注。
美国对华半导体出口管制政策整体战略
自2022年1007规则出台以来，美国对华半导体出口管制政策始终聚焦在对“先进”集成电路的限制，包括限制先进计算芯片、先进集成电路生产活动、先进集成电路制造设备等多个方面。随着规则迎来第三年的更新，美国对华半导体出口限制程度也愈加白热化，采取多方位、全产业链的限制手段，不遗余力地阻挠中国“自主可控”的半导体产业进程，同时兼顾美国及盟友国家企业对华销售的经济利益。
1202规则延续并升级了此前的管控，重点从三个维度全面限制中国自主开发生产先进集成电路的能力：
1. 精准识别并限制具有先进集成电路制造能力的中国主体 – 脚注5实体
自1007规则建立了针对在中国从事先进集成电路生产活动的最终用途管控以来，如何认定“从事先进集成电路生产活动”一直是一个热烈讨论的问题。1202规则中，BIS通过在“实体清单”中新设“脚注5”的方式予以了回应。脚注5实体被BIS认为系支持或可能支持中国先进节点集成电路的开发和生产能力，因而需要受到更高程度的定向化管控。通过1202规则的修订，脚注5实体在未经许可的前提下在全球范围内采购绝大多数先进集成电路制造设备都将面临更大的难度。
本次被识别为实体清单脚注5的主体包括16家中国半导体制造厂，其中9家企业系本次新增被列，7家企业系由原一般实体清单“升级”为脚注5实体。BIS表示，其将会持续评估并及时新增脚注5名单，我们理解不排除未来会有更多中国代工厂被列为脚注5实体。BIS同时也强调对中国厂商先进节点集成电路制造能力的尽调义务并未被免除。目前的脚注5主体名单请参见下方表格：
围绕脚注5实体，BIS在1202规则中设置了十分精细化的管控体系，包括（1）设置针对性的外国直接产品规则（“FDP规则”）和混合产品最低比例原则（“De minimis规则”）以扩大对其出口受限制的设备范围；（2）设置针对性的物项出口许可证要求以限制较低敏感度的设备对其出口；以及（3）设置针对性的许可例外RFF，在满足一系列合规监管要求的前提下，允许特定目前不生产先进节点集成电路的厂商获取传统的制造设备以用于非先进节点集成电路的生产活动等。目前仅一家脚注5实体可适用RFF许可例外，已在上方表格中标注。我们将在下文第二部分对前述（1）和（2）项的针对性限制内容进行详细介绍。
2. 扩大对华半导体限制打击范围，重点针对半导体设备企业
除精准识别并限制具有先进节点集成电路生产能力的代工厂外，BIS此次同步将百余家中国半导体设备和软件企业列入实体清单，覆盖企业类型包括半导体刻蚀机厂商、半导体薄膜沉积设备厂商、半导体量检测设备厂商以及半导体设计软件（EDA）等多种类型。另有少量半导体设计企业、先进电子材料企业乃至投资机构等也一同被列入实体清单，打击面之广可谓近三年之最。
对大量中国半导体制造设备企业的列名凸显了BIS对中国建立自主可控半导体行业战略的打击目的，即在限制全球先进半导体制造设备向中国出口的同时，也极力遏制中国自行研发相应制造设备。这与1007规则建立的针对中国半导体制造设备最终用途的出口限制，以及此前美国财政部发布的对华投资限制最终规则中对中国半导体设备制造企业的投资限制一脉相承，夯实了对中国半导体制造设备产业的全方位限制。
3. 传闻或将限制中国企业海外寻求先进节点流片产能
在1202规则发布前一个月内，业界突然传出台积电和三星暂停向中国大陆半导体设计企业供应7nm及更先进GPU芯片代工服务的传闻。传闻进一步指出该等限制系由于美国商务部向台积电的致函，这不禁令人联想到1007规则发布前，业界也曾传出美国商务部向英伟达致函暂停向中国大陆供应H100芯片的消息，该等限制于一个多月后随即落地。
虽然1202规则暂并未落实该等对中国企业寻求海外先进节点流片的限制要求，但业内对此依然猜想不断，若该等限制后续落地正式实施，将是继对中国先进半导体生产能力、先进半导体设备制造能力的限制之后，针对中国企业获取先进半导体产能能力的又一重大打击。
对中国先进节点半导体制造能力的定向封锁
1007规则和1017规则先后从人、物和最终用途等多个维度设置了限制中国发展先进半导体制造能力的全面壁垒，包括限制美国人为中国半导体制造相关的活动提供支持、新增出口受管制的半导体制造设备的ECCN编码、限制将受管控物项用于特定半导体制造用途等。此外，考虑到半导体制造设备的全球供应链，美国还联合荷兰和日本出台了相对统一的半导体制造设备出口管制措施。
1202规则在进一步夯实前述限制、填补管控漏洞的同时，采取了更加精细化的管控思路，在保护所谓“国家安全利益”的同时兼顾了美国及盟友国家企业的经济利益，定向化地限制中国先进节点集成电路的制造能力。一方面，1202规则调整了过往“一刀切”限制先进半导体制造设备向中国出口的要求，改为仅在面向高风险对象 – 脚注5主体时限制绝大多数半导体设备的出口；而对于中国其他不具备先进节点集成电路制造能力的主体，1202规则实际上放宽了部分先进程度较弱的半导体制造设备对其的出口；另一方面，1202规则通过对半导体设备、软件、技术等ECCN进行修订、新增，扩大了纳入管控范围的先进半导体制造物项范围；最后，1202规则通过新设FDP规则和De minimis规则，拓宽了域外效力，将更多非美国产设备纳入对华出口管制范畴。
1. 新增/修订现有半导体制造设备/软件/技术相关ECCN，根据先进程度分别设置国家层面与主体层面的出口限制
1007规则和1017规则均设置和修订了大量的3B类的半导体制造设备及相应的软件/技术的ECCN，对可能用于先进节点集成电路制造的相关物项施加了基于国家安全（NS）和区域稳定（RS）等原因的管控，进而在面向中国[1]及D:5国家出口时受到许可证限制。除个别例外之外，该等物项范围基本与荷兰、日本的管控清单对应。美国、日本、荷兰三国已针对半导体制备环节所使用的沉积设备、刻蚀设备、光刻设备、薄膜等用于光刻的产品、退火设备、清洗设备、检测设备等，逐渐拉齐管控水位。
本次1202规则对可能用于先进节点集成电路制造的相关半导体制造设备、软件、技术的ECCN进行了进一步的调整和新增，总体呈现有张有弛的思路——在基于行业技术发展而将更多关键前沿设备/软件/技术纳入管控范围的同时，区分了“专门用于先进节点集成电路制造”和“既能用于先进节点集成电路制造也能用于成熟节点集成电路制造”的物项，分别赋予了不同的ECCN并设置了不同程度的管控要求，一定程度上放宽了对后者的限制，进一步体现了实现所谓“国家安全”的管控目的与保护美国及盟友国家企业经济利益之间的平衡。
（1）专门用于先进节点集成电路制造的物项 – 国家层面的管控
1202规则修订并新增了3B001、3B002相关物项及对应的3D992软件和3E992技术，该等物项基于NS和RS原因受到管控，因而在出口至中国及D:5国家时存在许可证要求。在本次修订后，该等物项被BIS认为系专门设计用于支持先进节点集成电路制造相关活动，因而被施加了面向中国及D:5国家的国家层面的限制。相关物项ECCN修订/新增情况及对应的修订/新增原因分析如下：
（2）既能用于先进节点集成电路制造也能用于成熟节点集成电路制造的物项 – 主体层面的管控
1202规则拆分了原来的3B001，将其中部分物项移至一个新设的ECCN 3B993下，并新增了部分额外的3B993物项以及另一个新的ECCN 3B994。BIS指出，3B993和3B994下的物项可以支持先进节点集成电路制造，但同时也可用于成熟节点集成电路的制造，因此不必适用“国家层面”（nationwide）的许可证要求。BIS为3B993、3B994以及相对应的软件3D993、3D994和技术3E993、3E994设置了基于RS原因的管控。根据相应新增的EAR 742.6(a)(11)条的规定，该等ECCN物项目前只有在出口至脚注5主体时才会触发RS管控下的许可证要求[2]。相关物项ECCN修订/新增情况及对应的修订/新增原因分析如下：
2. 新增两项FDP规则并修订De minimis规则，扩大对第三国制造半导体设备对中国及脚注5实体出口的限制
在我们此前对1017规则的解读文章中曾提到，BIS当时将荷兰、日本管制清单中的半导体制造设备纳入3B001或3B002下的ECCN，可能可以配合国家安全直接产品规则的适用而起到对荷兰、日本所产半导体制造设备对华出口限制的“双保险”效果。但是，国家安全直接产品规则的适用标准较为严格，若该等设备的制造过程中未使用因NS原因受控的美国原产软件或技术则可能无法触发。而由于荷兰、日本现有的出口管制规则并不具备广泛的域外效力，中国企业依然有机会从荷兰、日本等国的设备厂商位于第三国的子公司处购买相应设备而无须触发任何一国的许可证要求。
为填补这一漏洞，BIS在本次1202规则中新设了两项FDP规则及相应的De minimis规则，大幅扩张了美国出口管制限制对第三国生产的半导体制造设备的适用。与此同时，与上述第（二）部分的逻辑类似，不同先进程度的第三国产半导体制造设备的出口受限的范围也有所区别。此外，由于该等FDP规则和De minimis规则限制的都是从第三国的出口、转出口或（国内）转移行为，BIS针对不同的出口国及出口商也设置了不同程度的许可证要求，例如为从已经实施了相应管制措施的荷兰、日本等盟友国家的出口设置了更为宽松的标准和豁免规则等，以体现对盟友国家的优待，同时对尚未施加相应管制措施的其他国家起到一定的威胁效果。
（1）新设半导体制造设备（SME）FDP规则
在本次1202规则中，BIS针对较为先进的半导体制造设备，特别是专门用于先进节点集成电路制造的设备，设置了专门的SME FDP规则。具体而言，同时满足以下物项标准及出口目的地标准的物项将基于SME FDP规则受EAR管控，其向中国及D:5国家的出口、转出口或（国内）转移将触发许可证要求：
i. 物项标准
非美国生产物项满足以下两项标准之一，且被归类为ECCN 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k 至 n、p.2、p.4、r、或3B002.c的设备：
- 该物项自身是受EAR管控的3D992软件或3E992技术的“直接产品”；或
- 该物项自身，或该物项内所包含的一块部件，系由位于美国境外的工厂或工厂的主要设备生产，且该等工厂或工厂的主要设备，无论是美国还是外国产，系美国原产的12项ECCN的软件或技术的“直接产品”；
12项ECCN包括：3D001(针对3B物项)、3D901、3D991(针对3B991和3B992)、3D992、3D993、3D994、3E001(针对3B物项)、3E901(针对3B903)、3E991(针对3B991和3B992)、3E992、3E993、或3E994。
ii. 目的地标准：出口商“知晓”该等外国产物项将去往中国或D:5国家
值得注意的是，对于上述物项标准中的（b）项，BIS特别强调了若外国产设备中包含了一块外国产的芯片，且该等芯片的生产、组装、测试、封装等过程中使用到了作为前述12项美国原产软件或技术的直接产品的工厂或工厂的主要设备，则该等物项标准将被满足。BIS在1202规则前言中进一步指出，考虑到目前芯片的生产过程几乎都会用到符合前述标准的工厂或工厂主要设备，这意味着只要前述半导体制造设备中包含了芯片，该等半导体制造设备就有较大概率会因SME FDP规则受管控，进而在面向中国及D:5国家出口时存在许可证要求。
这样的规则设计在FDP规则中是比较少见的，通常FDP规则关注的是“直接产品”，即关注生产最终产品的过程中直接用到的软件、技术、工厂或设备，而一般并不会仅因为包含一个触发FDP规则的零部件而被整体视为FDP规则下的受控产品，后者更多是混合产品规则下的管控逻辑。本次新设的两项FDP规则打破了这一常规，体现了FDP规则与混合产品规则的联动。相对应地，BIS也同步对混合产品De minimis规则进行了更新，明确了只要包含美国原产芯片，则相应外国产半导体制造设备会因触发混合产品规则而受控，填补了FDP规则下只关注所包含的芯片系外国生产的漏洞。
此外，如前所述，该等许可证要求系针对外国产的半导体制造设备从第三国出口、转出口或（国内）转移的情形，BIS特别为盟友国家设置了例外情形。具体而言，BIS在EAR第742部分新设了补编4“豁免特定半导体制造设备许可证要求的国家”，列入33个美国盟友国家，包括已实施类似出口管制措施的半导体制造设备主要供应国日本和荷兰，但并未包含韩国。BIS指出，若该等受控外国产设备系由位于补编4国家或位于实施了同等出口管制的国家的主体出口，则不受许可证要求，前提是并非由一个总部或最终母公司位于中国或D:5国家的主体出口。这一规定体现了美国对盟友国家类似出口管制措施的认可和鼓励，也起到了倒逼其他国家采取类似对华出口管制措施的效果。
（2）新设脚注5实体（FN5）FDP规则
对于先进程度相对较弱的半导体制造设备，包括前述既可用于先进节点集成电路制造也可用于成熟节点集成电路制造的设备，BIS设置了针对脚注5主体出口的FDP规则。具体而言，同时满足以下物项标准及最终用户标准的物项将基于FN5 FDP规则受EAR管控，其向脚注5主体的出口、转出口或（国内）转移将触发许可证要求：
i. 物项标准
非美国生产物项满足以下两项标准之一，且被归类为3B001（3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、k至n、p.2、p.4、r除外）、3B002 (3B002.c除外)、3B903、3B991（3B991.b.2.a至3B991.b.2.b除外）、3B992、3B993或3B994的设备：
a. 该物项自身是受EAR管控的10项ECCN的软件或技术的“直接产品”，
10项ECCN包括：3D001（针对3B物项）、3D901（针对3B903）、3D991（针对3B991和3B992）、3D993、3D994、3E001（针对3B物项）、3E901（针对3B903）、3E991（针对3B991和3B992）、3E993、或3E994；或
b. 该物项自身，或该物项内所包含的一块部件，系由位于美国境外的工厂或工厂的主要设备生产，且该等工厂或工厂的主要设备，无论是美国还是外国产，系美国原产的12项ECCN的软件或技术的“直接产品”；
12项ECCN包括：3D001（针对3B物项）、3D901、3D991（针对3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（针对3B物项）、3E901（针对3B903）、3E991（针对3B991和3B992）、3E992、3E993、或3E994。
ii. 最终用户标准：出口商“知晓”
- 非美国原产物项将被合成入或被用于由脚注5主体生产、采购或订购的任何部分、部件或设备的生产或研发中；或
- 非美国原产物项的出口活动（交易中），脚注5主体为采购方、中间收货人、最终收货人或最终用户。
与SME FDP规则类似，若相应外国产半导体制造设备中包含了芯片，则该半导体制造设备也有较大概率落入FN5 FDP规则范围。BIS也同样更新了De minimis规则，纳入了包含美国原产芯片的情况。这一规则可能导致大多数半导体制造设备在面向脚注5主体出口时均会构成受控物项。
但是，并非所有因FN5 FDP规则或针对脚注5主体的De minimis规则受控的半导体制造设备在出口时均会触发许可证要求。相反，BIS在此处少见地设置了十分复杂的许可证触发条件，针对不同的出口商、不同的出口国均存在不同要求，体现了对盟友国家的优待以及对未实施类似出口管制措施的国家的呼吁。
3. 新增8项“风险信号”（Red flags），提供进一步合规指导
在1202规则中，BIS在EAR第732补编3“了解你的客户”指南及风险信号部分新增了8条“风险信号”（Red flags）场景，主要指向可能存在违规获取受控半导体制造设备风险的情景，并要求出口商在发现这些情形时开展进一步尽职调查以排除风险。八项“风险信号”的详细内容请见下方表格：
对中国先进计算芯片生产能力的围堵 – 新增对HBM管控
1007规则和1017规则新设并修订了针对先进计算芯片的管控措施，主要是针对符合ECCN 3A090的先进计算GPU芯片施加面向中国及其他相关国家的全面出口限制，以及针对中国主体自行设计符合3A090标准的芯片版图并对外交付流片施加限制，从对外采购和自行生产两方面限制中国企业获得3A090芯片，企图遏制中国借助先进计算GPU芯片发展AI技术的能力。
本次1202规则继续延续这一思路，重点关注中国企业自行研发生产3A090芯片的能力。具体而言，随着先进计算芯片中逻辑芯片的计算速度不断提升，对芯片存储能力和带宽和要求也不断提高，高带宽内存（HBM）对于处理器性能的充分发挥十分关键。而中国国产先进计算芯片主要依赖进口的HBM，这也为BIS限制中国自主开发先进计算芯片提供了新的管控抓手。
1. 新设ECCN 3A090.c，将独立的HBM纳入管控范围
BIS在本次1202规则中新设了一项ECCN 3A090.c，建立了针对HBM的管控。BIS在参数方面引入了“带宽密度”的概念，避免生产商通过简单堆叠HBM的数量实现规避。3A090.c的具体参数性能为：具有大于每平方毫米每秒2千兆字节的‘内存带宽密度’（‘memory bandwidth density’）的高带宽存储器（HBM）。
BIS表示上述参数性能已基本涵盖目前市面上的所有HBM。BIS特别指出3A090.c主要关注的是HBM单独出口的场景，而若HBM已与逻辑芯片一同封装并主要发挥处理性能，则此时无须单独评估HBM的受控情况，而应以封装后的整体物项的受控情况为标准。这为搭载了HBM但本身参数性能未达到受控的3A090.a或.b的芯片向中国的出口提供了空间，充分体现出BIS以打击中国自主研发先进计算芯片能力为管控目标，而并不计划限制美国企业向中国出口低性能GPU芯片以获取经济利益。
相对应地，BIS还在1202规则中修改了“先进节点集成电路”定义下对DRAM芯片的参数描述，由原先的“采用半间距为18纳米或更小的生产技术节点”，改为“满足以下任一（i）存储单元面积小于 0.0019µm2；或（ii）存储密度大于 0.288 千兆比特/平方毫米”。BIS解释这一调整可防止生产商通过堆叠的方式提高存储密度进行规避，并可将HBM纳入定义范围以适用对先进节点集成电路最终用途的相关限制。
2. 对HBM的管控要求及特殊的许可例外适用
3A090.c物项的管控程度略弱于3A090.a和.b物项，仅在面向中国及D:5国家出口时存在许可证要求，而后者则在面向D:1、D:4、D:5国家（同时被列入A:5、A:6除外）时均具有许可证要求。此外，3A090.c物项也同样适用先进计算FDP规则，即美国以外国家，例如韩国生产的HBM向中国出口也将受到管控。
但是，HBM的出口并不被允许适用3A090.a或.b物项可适用的NAC和ACA例外。对此BIS解释，HBM作为较通用的物项，存在本身被转运并被合并入其他先进计算芯片的风险，因而其本身的出口需要受到严格的监管和限制；而若HBM已被合并入其他产品，则该等风险可被对该等更高层级的产品的管控措施所覆盖，无须单独对HBM再进行管控。
不过，BIS专门为3A090.c物项引入了一项许可例外HBM，授权美国及其盟友国家的企业发运HBM物项至其在中国或D:5国家的自有封装点，并严格监管该等HBM物项的流转以确保其在封装进最终产品后悉数（偏差不超过1%）返回该企业处，以维持美国及其盟友国家企业的持续经营能力，突出体现了BIS精细化的出口管制政策。
其他值得关注的细节规定与澄清
除以上主要更新外，BIS还在1202规则中进行了一些重要的细节调整和澄清，其中值得中国企业重点关注的包括：
- “软件密钥”受管控的澄清：修订EAR 734.19条，澄清软件密钥（software keys），包括允许用户使用特定软件或硬件，或允许现有软件或硬件使用许可更新的软件密钥，将受到与该等软件或硬件一致的管控。BIS强调这一规定特别适用于被列入实体清单的主体在被列前已获得软件的使用，但在被列后需要软件密钥以继续使用该软件的情况；
- 先进节点集成电路制造最终用途管控下对软件供应商的义务澄清：新增EAR第744.23(a)(2)(iii)条，澄清ECAD和TCAD软件供应商若“知晓”该等软件将被用于设计先进节点集成电路并后续在中国或D:5国家制造，则提供受EAR管控的软件的行为受到此处最终用途管控的限制。这一管控逻辑并非新增，早在BIS官员此前针对1007规则的答疑中即已提到EDA软件供应商在面向中国设计企业提供软件时的合规义务；
- 删除对“前端集成电路生产设备”的区分：BIS此前在1017规则中对744.23(a)(4)针对半导体制造设备最终用途的管控中标注了管制情形仅限于“前端集成电路生产设备”，意图限缩受管制的范围。但在本次1202规则中，BIS删除了对“前端集成电路生产设备”的提及，即不再区分“前端”和“后端”设备而一概进行管控。BIS表示这样有助于简化合规要求，同时避免潜在的规避风险；
- 对其他FDP规则的一致性调整：由于1202规则中新增了部分3D类软件和3E类技术，BIS在针对脚注1、脚注4、先进计算、超算等的FDP规则中也均增加了部分可能触发FDP规则适用的美国原产或受EAR管控的软件和技术的ECCN，扩大了可能因该等FDP规则受控的物项范围；
- 精细化的缓冲期设置：对于此次新增的SME FDP规则、FN5 FDP规则以及对应的De minimis规则的限制；新增的3B、3D、3E类ECCN及其相应的基于NS和RS原因的许可证要求；对先进节点DRAM定义的修订；以及新增的对3A090.c的相关限制等并非立即生效，而将于2024年12月31日生效。这为中国企业提供了一定的业务缓冲期。
方达观察与建议
本次新规集中体现了美国政府对中国先进节点集成电路制造能力及先进计算芯片生产能力的关注，标志着美国“小院高墙”政策的进一步成熟，在加强对受关注的“国家安全威胁”物项的管控同时，更加注重结合商业实践保护美国及盟友国家企业的经济利益。
本次新规还伴随着一些规则工具层面的突破，例如首次将FDP规则与De minimis规则联动，明确了包含芯片的设备即受到管控，该等逻辑不排除会在日后针对其他领域或主体的管控中推广适用，中国企业应当紧密关注，提前做好预案。此外，脚注5的设立以及针对脚注5实体的精细化管控工具体系，也体现了BIS针对最终用户的管控进一步走向精细化。
BIS也将持续动态调整对华半导体管控措施，不排除可能即将于本月下旬出台一份新规则以回应公众对1017规则的评论等。随着管控措施的不断演化，企业也面临愈发复杂的合规挑战。随着美国大选的尘埃落定，明年换届后的美国政府是否会延续甚至加强相应管控也值得关注。我们将对美国对华半导体出口管制规则及其后续发展保持关注，如您有任何问题，请随时与我们联系。